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英特尔加入3nm工艺战局 计划2023年底推出

本文由用户 无辜的表白 发表于 2023年1月20日 52RD      参与:3人 我来说两句
  

科创板日报援引海外媒体Hardware Times报道,在接受日本媒体IT Media采访时,英特尔日本负责人透露,英特尔计划于2023年底推出3nm(Intel 3)工艺节点。第5代Xeon Emerald Rapids-SP将采用Intel 3工艺制造。


此外,英特尔还计划于未来几个月内大规模生产其4nm(Intel 4)节点。英特尔日本负责人进一步指出,随着Alder和Raptor Lake的7nm(Intel 7)节点问世,Meteor Lake的4nm晶圆已经量产。Intel 4工艺将带来20%的每瓦性能提升,并采用EUV光刻技术以获得更好的良率和密度。


此前,3nm工艺领域的主要玩家只有两位——台积电和三星。随着英特尔的加入,3nm制程的市场竞争格局逐渐扑朔迷离。

台积电于2022年下半年宣布了量产3nm芯片,但其3nm工艺的推广进程并非一帆风顺。据台湾电子时报12月30日报道,台积电3nm代工价突破2万美元,目前客户接受度较低,只有苹果为其“忠实粉丝”,高通则选择了分流订单——行销长Don McGuire透露,进入GAA工艺后,高通或将采用苹果,三星双供应商策略。海外媒体Tom’s hardware近日报道指出,为刺激客户采用,台积电考虑降低其3nm制程系列的报价。

而三星的3nm制程此前备受“良率低下”所扰,Business Next采访的半导体行业分析师和专家表示,台积电N3良率最高可达75%至80%,而三星代工厂的3GAE良率在早期阶段仅10%到20%。但据韩国每日经济新闻1月10日报道,三星一位高管在受访时表示,三星第一代的3nm制程良率接近完美,第二代3nm芯片技术也迅速展开。

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