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Qorvo 助力简化 GaN PA 偏置

本文由用户 最难的人 发表于 2022年6月14日 52RD      参与:3人 我来说两句
  

2022 年 6 月 14日–移动应用,基础设施与航空航天,国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®, Inc.(纳斯达克代码:QRVO)今日宣布推出 ACT41000-104-REF1,这是一款 GaN 功率放大器 (PA) 偏置参考设计,可加强 Qorvo GaN PA 的设计与测试。

GaN 器件是耗尽型 FET,运行时需要施加负栅极电压。在使用 GaN PA 的系统中,需要以特定的顺序进行偏置:提高漏极偏置电压之前,必须施加负栅极电压,以保护器件免受损坏。

Qorvo 的 ACT41000-104-REF1 内置可配置性,可实现多种 GaN PA 偏置并自动校准系统。它集成了功率 MOSFET 和电流数模转换器,方便器件精准检测 PA 静态漏极电流。此设计采用电源管理,对 GaN 偏置流程进行简化。

ACT41000 可在 4.5 40 V 的输入电压下运行;在 4 A 电流下,可生成最高达 24 V 的稳定可调的输出电压,变化幅度为 12.5 mVACT41000 带有评估平台和 GUI,可帮助客户调节输出漏极电压,静态和最大漏极电流,PA 器件电流,以及电压保护,开关频率和其他功能,从而优化 GaN PA 性能。

在用户接通系统电源后,将会自动执行此流程进行自动调试,防止因为老化或剧烈温度波动造成故障,因而可降低测试难度,提升自动化水平。ACT41000 内置可配置性,可为不同市场(包括卫星通信,5G,雷达等)内的各种 Qorvo GaN PA 提供偏置。

Qorvo 可编程电源管理产品高级主管 David Briggs 表示:“Qorvo 致力于为客户和供应商简化实际解决方案的设计和测试。这款全新产品集成了 Qorvo 功率产品与 GaN 产品组合,是我们产品组合扩展计划的一部分。


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